2026年3月5日，德克萨斯州奥斯汀-边缘 AI 超低功耗半导体解决方案的领导者Ambiq Micro公司（以下简称 "Ambiq®"）今天公布了其即将推出的Atomiq™ SoC的最新技术细节。Atomiq基于Ambiq最新设计的12纳米SPOT®平台，采用TSMC N12e®工艺，引入了全新的超低功耗（ULP）模式，工作电压低至300mV，是Ambiq历史上最低的工作电压。
该公告标志着 SPOT 首次计划在 FinFET 节点上部署，并反映了 Atomiq110 首批样品在量产方面取得的持续进展，该产品计划于 2027 年投产。
FinFET + SPOT：开启低功耗新篇章
通过将 Ambiq 专有的亚阈值设计方法与台积电先进的 12nm FinFET 工艺相结合，Atomiq 实现了以前在平面 CMOS 工艺中无法实现的高速亚阈值和近阈值性能。
全新的超低功耗 (ULP) 模式可在低至 300mV 的电压下运行，同时保持高效性能，从而扩展了超低功耗 (ULP)、低功耗 (LP) 和高性能 (HP) 模式的动态范围。这一进步使 Ambiq 能够实现迄今为止最低的工作电压和最高的能源效率。
专为边缘 AI 而打造
Atomiq 针对 AI 工作负载进行了优化，通过并行处理而非原始时钟速度实现高效扩展。此前发布的 Arm® Ethos™-U85 NPU 可同时执行数百次乘法累加 (MAC) 运算，即使在时钟速度低至 100 MHz 的 ULP 模式下，也能提供每秒数百亿次的运算。
在接近 300mV 的 ULP 模式下运行推理，有望显著降低边缘 AI 应用的能耗，同时使用标准的开发工具和生态系统。这一超低功耗功能支持 SoC 的子系统，包括处理器、NPU 和多媒体引擎。
平台创新实现超低功耗运行
实现低至 300 mV 的工作电压需要重大的架构创新。Atomiq 集成了一个重新设计的片上电源管理单元，以及一个高度可配置的多通道单电感多输出 (SIMO) 降压转换器。 该自适应电源系统可根据工艺、温度和工作负载的变化动态调整，在从纳安到毫安的负载范围内提供六个独立的电压轨。
要实现如此激进的电压扩展，还需要开发新的定制基础 IP，以实现可靠的超低电压运行。12 纳米 SPOT 平台已在 Ambiq 实验室的硅片上通过验证，标志着 Atomiq 走向商业化的一个重要技术里程碑。
高管评述
Ambiq创始人兼首席技术官Scott Hanson 表示：" Atomiq 代表了SPOT技术多年来的持续改进和架构创新 。 将 SPOT 技术应用于 12nm FinFET 工艺节点，使我们能够在提供下一代边缘 AI 所需性能的同时，将运行电压降至前所未有的低水平。"
台积电北美 业务管理副总裁 Lucas Tsai 博士说："随着物联网设备不断发展以满足人工智能时代的需求，它们需要尖端的半导体技术来实现更快的性能、优化的能效和最小的功率泄漏，我们将继续与Ambiq这样的行业创新者合作，通过业界领先的ULP物联网平台推动超低功耗半导体解决方案的进步。"
展望未来
Atomiq110 SoC 计划于 2027 年投产。Ambiq 还计划在未来几个月内宣布更多创新成果，以解决 AI 系统中剩余的功耗挑战之一：内存效率。
欢迎莅临 2026年嵌入式世界大会4号展厅581号展位，参观 Ambiq 展台，了解更多关于Atomiq的信息。欲了解更多详情并订阅 Atomiq 的最新资讯，请访问 Atomiq的产品页面。
关于 Ambiq
Ambiq 总部位于美国德克萨斯州奥斯汀，其使命是通过提供超低功耗半导体解决方案，让智能（AI及其他）无处不在，并助力客户在功耗挑战最为严峻的端侧部署AI计算。 Ambiq 的技术创新建立在其获得专利的专有亚阈值功耗优化技术 (SPOT®) 之上，从根本上实现了比传统半导体设计高出数倍的功耗改进。 迄今为止，Ambiq 已为超过 2.9 亿台设备提供支持。 欲了解更多信息，请访问 www.ambiq.com。
公司联系方式
Charlene Wan
企业营销副总裁
cwan@ambiq.com
投资者关系联系人
Teneo
Christina Coronios
christina.coronios@teneo.com
