2026年3月5日，德克萨斯州奥斯汀-边缘 AI 超低功耗半导体解决方案的领导者Ambiq Micro公司（以下简称 "Ambiq®"）今天公布了其即将推出的Atomiq™ SoC的最新技术细节。Atomiq基于Ambiq最新设计的12纳米SPOT®平台，采用TSMC N12e®工艺，引入了全新的超低功耗（ULP）模式，工作电压低至300mV，是Ambiq历史上最低的工作电压。
该公告标志着 SPOT 首次计划在 FinFET 节点上部署，并反映了 Atomiq110 首批样品在量产方面取得的持续进展，该产品计划于 2027 年投产。
FinFET + SPOT：开启低功耗新篇章
通过将 Ambiq 专有的亚阈值设计方法与台积电先进的 12nm FinFET 工艺相结合，Atomiq 实现了以前在平面 CMOS 工艺中无法实现的高速亚阈值和近阈值性能。
全新的超低功耗 (ULP) 模式可在低至 300mV 的电压下运行，同时保持高效性能，从而扩展了超低功耗 (ULP)、低功耗 (LP) 和高性能 (HP) 模式的动态范围。这一进步使 Ambiq 能够实现迄今为止最低的工作电压和最高的能源效率。 This advancement positions Ambiq to deliver its lowest operating voltage and highest energy efficiency to date.
专为边缘 AI 而打造
Atomiq 针对 AI 工作负载进行了优化，通过并行处理而非原始时钟速度实现高效扩展。此前发布的 Arm® Ethos™-U85 NPU 可同时执行数百次乘法累加 (MAC) 运算，即使在时钟速度低至 100 MHz 的 ULP 模式下，也能提供每秒数百亿次的运算。
在接近 300mV 的 ULP 模式下运行推理，有望显著降低边缘 AI 应用的能耗，同时使用标准的开发工具和生态系统。这一超低功耗功能支持 SoC 的子系统，包括处理器、NPU 和多媒体引擎。
平台创新实现超低功耗运行
实现低至 300 mV 的工作电压需要重大的架构创新。Atomiq 集成了一个重新设计的片上电源管理单元，以及一个高度可配置的多通道单电感多输出 (SIMO) 降压转换器。 该自适应电源系统可根据工艺、温度和工作负载的变化动态调整，在从纳安到毫安的负载范围内提供六个独立的电压轨。
要实现如此激进的电压扩展，还需要开发新的定制基础 IP，以实现可靠的超低电压运行。12 纳米 SPOT 平台已在 Ambiq 实验室的硅片上通过验证，标志着 Atomiq 走向商业化的一个重要技术里程碑。
高管评述
Ambiq创始人兼首席技术官Scott Hanson 表示：" Atomiq 代表了SPOT技术多年来的持续改进和架构创新 。 将 SPOT 技术应用于 12nm FinFET 工艺节点，使我们能够在提供下一代边缘 AI 所需性能的同时，将运行电压降至前所未有的低水平。"
台积电北美 业务管理副总裁 Lucas Tsai 博士说："随着物联网设备不断发展以满足人工智能时代的需求，它们需要尖端的半导体技术来实现更快的性能、优化的能效和最小的功率泄漏，我们将继续与Ambiq这样的行业创新者合作，通过业界领先的ULP物联网平台推动超低功耗半导体解决方案的进步。"
展望未来
Atomiq110 SoC 计划于 2027 年投产。Ambiq 还计划在未来几个月内宣布更多创新成果，以解决 AI 系统中剩余的功耗挑战之一：内存效率。
欢迎莅临 2026年嵌入式世界大会4号展厅581号展位，参观 Ambiq 展台，了解更多关于Atomiq的信息。欲了解更多详情并订阅 Atomiq 的最新资讯，请访问 Atomiq的产品页面。
关于 Ambiq
Ambiq 总部位于美国德克萨斯州奥斯汀，其使命是通过提供超低功耗半导体解决方案，让智能（AI及其他）无处不在，并助力客户在功耗挑战最为严峻的端侧部署AI计算。 Ambiq 的技术创新建立在其获得专利的专有亚阈值功耗优化技术 (SPOT®) 之上，从根本上实现了比传统半导体设计高出数倍的功耗改进。 迄今为止，Ambiq 已为超过 2.9 亿台设备提供支持。 欲了解更多信息，请访问 www.ambiq.com。
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VP of Corporate Marketing
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