2026年3月5日，德克萨斯州奥斯汀–边缘 AI 超低功耗半导体解决方案的领导者Ambiq Micro公司（以下简称 “Ambiq®”）今天公布了其即将推出的Atomiq™ SoC的最新技术细节。Atomiq基于Ambiq最新设计的12纳米SPOT®平台，采用TSMC N12e®工艺，引入了全新的超低功耗（ULP）模式，工作电压低至300mV，是Ambiq历史上最低的工作电压。
此公告標誌著 SPOT 首次計劃部署於 FinFET 節點，反映出持續推進初期 Atomiq110 樣品的進展，預計 2027 年生產。
FinFET + SPOT：解鎖全新力量前沿
By combining Ambiq’s proprietary subthreshold design methodology with TSMC’s advanced 12nm FinFET process, Atomiq enables high-speed sub- and near-threshold performance that was previously impractical in planar CMOS processes.
新的 ULP 模式目標電壓低至 300mV 運作，同時維持有效效能，擴展超低功耗（ULP）、低功耗（LP）及高效能（HP）模式的動態範圍。這項進展使 Ambiq 能夠提供迄今為止最低的運作電壓與最高的能源效率。
專為邊緣人工智慧打造
Atomiq 針對 AI 工作負載進行優化，透過平行處理而非純時脈速度來有效擴展。先前公布的 Arm® Ethos-U85™ NPU 可同時執行數百次乘法累加（MAC）運算，即使在 ULP 模式下，時脈低至 100 MHz 也能執行數百億次運算。
在接近 300mV 的 ULP 模式下執行推論，預期能大幅降低邊緣 AI 應用的能源消耗，同時使用標準開發工具與生態系統。此超低功耗特性支援 SoC 子系統，包括處理器、NPU 及多媒體引擎。
平台創新促成超低功耗運作
要達到300 mV的運作，需要重大的架構創新。Atomiq 採用重新設計的晶片內電源管理單元，配備高度可配置的多通道單電感多輸出（SIMO）降壓轉換器。此自適應電源系統能根據製程、溫度及工作負載的變化動態調整，提供六條獨立電壓軌，負載範圍從奈安到毫安不等。
為了達到如此積極的電壓縮放，也需要開發新的客製化基礎 IP，以實現可靠的超低壓運作。12奈米的SPOT平台已在Ambiq實驗室以矽晶片驗證，標誌著Atomiq商業化的重要技術里程碑。
行政名言
「Atomiq 代表了多年來 SPOT 的精進與架構創新，」 Ambiq 創辦人兼技術長 Scott Hanson 表示。 將 SPOT 帶入 12nm FinFET 節點，讓我們能將電壓推得比以往更低，同時提供下一代邊緣 AI 所需的效能。」
「隨著物聯網裝置隨著AI時代需求演進，它們需要尖端半導體技術以實現更快的效能、優化的電力效率及減少電力洩漏，」TSMC北美業務管理副總裁蔡盧卡斯博士表示。「我們持續與 Ambiq 等產業創新者合作，透過業界領先的 ULP 物聯網平台，推動超低功耗半導體解決方案的進步。」
展望未來
Atomiq110 SoC 預計於 2027 年量產。Ambiq 也計劃在未來幾個月內宣布更多創新，以解決 AI 系統中剩餘的電力挑戰之一：記憶體效率。
歡迎造訪 Embibq 於 Embedded World 2026,4號展廳 581 展位 ，了解更多關於 Atomiq 的資訊。欲了解更多詳情及訂閱最新 Atomiq 新聞快訊，請造訪 Atomiq 的產品頁面。
關於 Ambiq
Ambiq 總部位於德州奧斯汀，使命是透過提供最低功耗半導體解決方案，實現全球智慧（人工智慧（AI）及其他領域）。 Ambiq 讓客戶能在電力消耗最嚴峻的邊緣端提供 AI 運算。 Ambiq 的技術創新建立在專利且專有的次閾值功率優化技術（SPOT）®之上，根本上比傳統半導體設計在功耗上帶來多倍提升。 迄今為止，Ambiq 已為超過 2.9 億台裝置提供動力。 欲了解更多信息，請訪問 www.ambiq.com。
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